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晶体管
RM11N800T2参考图片

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RM11N800T2

  • Rectron
  • 新批次
  • MOSFET TO-220 MOSFET
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库存:38,366(价格仅供参考)
数量单价合计
1,000
¥14.3736
14373.6
2,000
¥12.2944
24588.8
4,000
¥11.2209
44883.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
420 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
优势价格,RM11N800T2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SWITCHING DEVICE
1:¥3.4578
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:17988
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A SOT-323
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:168810
晶体管
MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
1:¥5.3788
10:¥4.4409
100:¥2.8702
1,000:¥2.2939
参考库存:9327
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=80MHz
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.2147
参考库存:152424
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥4.5313
10:¥3.7177
100:¥2.4069
1,000:¥1.921
参考库存:9526
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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