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晶体管
JANS2N3700UB/TR参考图片

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JANS2N3700UB/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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库存：36,666(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥447.5139
22375.695
100
¥441.3667
44136.67
200
¥416.6988
83339.76
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LCC-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
140 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
1 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 500 mA, 10 V
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
15 at 1 A, 10 V
Pd-功率耗散
0.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，JANS2N3700UB/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF600R17KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 900A
1:¥5,321.4751
5:¥5,236.42
参考库存:3063
PUMD3,125
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 6-Pin
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:119995
IPB180P04P4L02ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
1:¥22.2836
10:¥18.9049
100:¥16.3624
250:¥15.594
1,000:¥11.752
2,000:查看
参考库存:13047
IPP65R190CFDAAKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3
1:¥27.9675
10:¥23.8204
100:¥20.5886
250:¥19.5151
参考库存:5549
IHW40N135R3FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥44.3412
10:¥37.6516
100:¥32.657
250:¥30.962
500:¥27.8206
参考库存:5386

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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