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晶体管
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CGHV59350F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11 dB
Vds-漏源极击穿电压
125 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
输出功率
450 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
高度
5.03 mm
长度
24.26 mm
工作频率
5900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
产品
C-Band Radar HEMT
宽度
23.01 mm
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
15
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV59350F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BCR148SH6327XTSA1
Infineon Technologies
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双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
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10:¥1.7628
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RJK5026DPP-M0#T2
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1,000:¥0.50737
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    50万现货SKU

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