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晶体管
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CGHV59070F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
14 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
6.3 A
输出功率
76 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440224
封装
Tray
工作频率
4.4 GHz to 5.9 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
75
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，CGHV59070F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMLT3820G TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Transistor NPN
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.5086
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6046
参考库存:36360
FDPF5N60NZ
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V, N-Channel MOSFET, UniFET-II
1:¥8.6106
10:¥7.4015
100:¥5.6839
500:¥5.0172
参考库存:9447
SIA921EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
3,000:¥2.4634
参考库存:17444
SIHG16N50C-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥35.5724
10:¥29.4252
100:¥24.2837
250:¥23.5153
500:¥21.0519
参考库存:5061
STGW60V60F
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
参考库存:5573

  • 海量现货

    50万现货SKU

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