RN1302TE85LF详细信息_RN1302TE85LF相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VESM-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1302
封装	Reel
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CMLT3820G TR	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Transistor NPN	1:¥4.7686 10:¥4.0002 100:¥2.5086 1,000:¥1.8871 3,000:¥1.6046	参考库存:36360
FDPF5N60NZ	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 600V, N-Channel MOSFET, UniFET-II	1:¥8.6106 10:¥7.4015 100:¥5.6839 500:¥5.0172	参考库存:9447
SIA921EDJ-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70	1:¥4.8364 10:¥3.9211 100:¥2.9832 500:¥2.4634 3,000:¥2.4634	参考库存:17444
SIHG16N50C-E3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC	1:¥35.5724 10:¥29.4252 100:¥24.2837 250:¥23.5153 500:¥21.0519	参考库存:5061
STGW60V60F	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT	1:¥40.6461 10:¥34.578 100:¥29.9676 250:¥28.4308	参考库存:5573