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晶体管
BSC024NE2LSXT参考图片

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BSC024NE2LSXT

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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库存:32,900(价格仅供参考)
数量单价合计
5,000
¥2.8137
14068.5
10,000
¥2.712
27120
25,000
¥2.6216
65540
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
55 S
下降时间
2.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
4.1 ns
零件号别名
BSC024NE2LS BSC024NE2LSATMA1 SP000756342
商品其它信息
优势价格,BSC024NE2LSXT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥8.7575
10:¥7.4806
100:¥5.7404
500:¥5.0737
2,500:¥3.5482
10,000:查看
参考库存:29982
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BISS Transistor Load Switch
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:346139
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 65W
1:¥8.7575
10:¥7.1416
100:¥5.9551
500:¥4.5991
1,000:¥4.1471
参考库存:11066
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V
1:¥229.7516
5:¥219.6042
10:¥211.9202
25:¥184.9584
参考库存:7168
晶体管
MOSFET 20v P-Channel FemtoFet
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7176
250:¥1.7176
1,000:¥1.3221
参考库存:12825
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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