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晶体管
SIHB24N65E-GE3参考图片

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SIHB24N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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库存:17,734(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥45.7989
45.7989
10
¥37.9567
379.567
100
¥31.1993
3119.93
250
¥30.2727
7568.175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
145 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
81 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
69 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
84 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SIHB24N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 N-CH 600V 50A
1:¥57.7882
10:¥52.2512
25:¥49.7878
100:¥43.2564
参考库存:4784
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥23.6622
10:¥19.5942
100:¥16.1364
250:¥15.6731
500:¥14.0572
800:¥14.0572
参考库存:4276
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50V Dual BRT NPN
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.92208
1,000:¥0.70738
8,000:¥0.5537
24,000:查看
参考库存:47643
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥49.4827
10:¥40.9512
100:¥33.7305
250:¥32.657
参考库存:2695
晶体管
MOSFET N-chnl30V7.1m logic lvl MOSFET in LFPAK
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
1,500:¥1.6159
参考库存:21997
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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