UMH3NTN详细信息_UMH3NTN相关参数PDF_ROHM Semiconductor-维基芯城

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：42,403(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	UMT-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	UMH3N
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	600
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	UMH3N

商品其它信息

优势价格，UMH3NTN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SP000934758	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8	5,000:¥3.5256 10,000:¥3.4013 25,000:¥3.2883	参考库存:34493
PXAC203302FV-V1-R0	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥1,121.864	参考库存:34498
PTFB210801FA-V1-R250	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥383.6576	参考库存:34503
STI47N60DM6AG	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Automotive N-channel 600 V, 0.070 typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in an I PAK package	1:¥48.4092 10:¥41.1094 100:¥35.6515 250:¥33.8096	参考库存:8244
TSM2N60ECH C5G	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 600V 2Amp N channel Power Mosfet	15,000:¥2.2713 24,375:¥2.2148	参考库存:34510