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晶体管
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ST9060C

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
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数量单价合计
50
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23348.06
100
¥432.7674
43276.74
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
12 A
Vds-漏源极击穿电压
90 V
增益
17.3 dB
输出功率
80 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M243-3
工作频率
1.5 GHz
系列
ST9060C
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
170 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
2.9 V
商品其它信息
优势价格,ST9060C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥423.0833
2:¥411.5573
5:¥400.1782
10:¥388.7313
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1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
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1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
2,500:¥0.95259
10,000:¥0.89157
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1:¥4.9946
10:¥4.2036
100:¥2.712
1,000:¥2.1696
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1:¥3.842
10:¥2.5312
100:¥1.5707
500:¥1.4125
3,000:¥0.88366
9,000:查看
参考库存:33818
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    50万现货SKU

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