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晶体管
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RQ7E110AJTCR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Nch 30V 11A Si MOSFET
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数量单价合计
3,000
¥2.5312
7593.6
9,000
¥2.4408
21967.2
24,000
¥2.3391
56138.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSMT-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
6.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
13 S
下降时间
79 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
87 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
RQ7E110AJ
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥105.429
200:¥96.1291
500:¥89.9819
1,000:¥82.5239
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6,000:¥0.71416
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参考库存:30523

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