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晶体管
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2N3767

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100Vcbo 80Vceo 6.0Vebo 4.0A 25W
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90
¥117.3392
10560.528
120
¥107.802
12936.24
270
¥98.2761
26534.547
510
¥87.5185
44634.435
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-66-2
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
增益带宽产品fT
10 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N3767
直流电流增益 hFE 最大值
160 at 500 mA, 5 V
封装
Tube
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
20 at 1 A, 10 V
Pd-功率耗散
25 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
零件号别名
2N3767 PBFREE
商品其它信息
优势价格，2N3767的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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9,000:¥0.49155
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参考库存:28734

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