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晶体管
FZ800R12KS4_B2参考图片

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FZ800R12KS4_B2

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库存:28,619(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7,498.5896
7498.5896
5
¥7,378.7192
36893.596
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
3.7 V
在25 C的连续集电极电流
1200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
7.6 kW
封装 / 箱体
IHM130
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
140 mm
宽度
130 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
2
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ800R12KS4B2NOSA1 SP000100554
商品其它信息
优势价格,FZ800R12KS4_B2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥638.0771
5:¥626.4042
10:¥598.1994
25:¥578.3001
参考库存:3797
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥3.7629
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:14474
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.3108
10:¥1.12209
100:¥0.40002
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:154926
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥388.8895
5:¥375.8267
10:¥363.6114
25:¥336.2541
参考库存:3933
晶体管
IGBT 晶体管 600V/5A Field Stop Low Vcesat
1:¥11.2209
10:¥9.605
100:¥7.3902
500:¥6.5314
参考库存:6865
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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