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晶体管

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QSX4TR

  • ROHM Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR NPN Vce 30V 2A
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥3.1075
31.075
100
¥1.8984
189.84
1,000
¥1.469
1469
3,000
¥1.2543
3762.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
280 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
QSX4
直流电流增益 hFE 最大值
270 at 200 mA, 2 V
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
270
Pd-功率耗散
1250 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
QSX4
商品其它信息
优势价格,QSX4TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
400:¥340.3221
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2,500:¥12.9837
5,000:¥10.7576
10,000:¥8.9948
参考库存:31526
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Trans 60Vcbo 60Vcbo 60Vceo 2W
1,750:¥3.3448
2,800:¥2.9606
10,150:¥2.8589
25,200:¥2.7685
参考库存:31531
晶体管
JFET JFET
100:¥246.8824
250:¥230.4409
参考库存:31536
晶体管
MOSFET Automotive N-channel 600 V, 0.070 typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in an H PAK-2 package
1:¥47.8668
10:¥43.2564
25:¥41.2676
100:¥35.8097
参考库存:5277
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    50万现货SKU

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