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晶体管

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STGWA25H120DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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1
¥58.8617
58.8617
10
¥53.1778
531.778
25
¥50.7144
1267.86
100
¥44.0248
4402.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA25H120DF2
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.100 g
商品其它信息
优势价格，STGWA25H120DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSB165N15NZ3 G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
1:¥24.5888
10:¥20.905
100:¥18.1365
250:¥17.2099
5,000:¥11.9102
参考库存:25597
FCPF190N60-F152
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V, 20.2A, 199mOhm SuperFET II MOSFET
1:¥20.2835
10:¥17.2099
100:¥13.7521
500:¥12.0684
参考库存:8164
IGP40N65H5
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
1:¥22.3627
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
参考库存:8191
BUK9M19-60EX
Nexperia
晶体管
MOSFET BUK9M19-60E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥4.6104
10:¥3.7855
100:¥2.4408
1,000:¥1.9549
1,500:¥1.6498
参考库存:3283
IRFR5505TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
1:¥6.9947
10:¥6.0003
100:¥4.6104
500:¥4.068
1,000:¥3.2205
2,000:¥3.2205
参考库存:107945

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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