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晶体管
FGAF40N60UFDTU参考图片

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FGAF40N60UFDTU

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库存:24,540(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.9568
39.9568
10
¥33.9678
339.678
100
¥29.4252
2942.52
250
¥27.8884
6972.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
3.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGAF40N60UFD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
高度
16.7 mm
长度
15.7 mm
宽度
5.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
360
子类别
IGBTs
零件号别名
FGAF40N60UFDTU_NL
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,FGAF40N60UFDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:31039
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 10Kohms
1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.33787
参考库存:31044
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.4522
10:¥3.6612
100:¥2.2374
1,000:¥1.7289
2,000:¥1.4803
参考库存:16479
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin
10,000:¥0.26894
20,000:¥0.24634
50,000:¥0.23052
100,000:¥0.20792
参考库存:31051
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K
1:¥5.0737
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,500:¥2.147
参考库存:18986
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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