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晶体管
SQD40N10-25_GE3参考图片

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SQD40N10-25_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD70140EL_GE3
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库存：24,530(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥44.7254
44.7254
10
¥37.0414
370.414
100
¥30.51
3051
250
¥29.5043
7376.075
2,000
¥21.2101
42420.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
19 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
70 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
73 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格，SQD40N10-25_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI5471DC-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
1:¥5.763
10:¥4.6669
100:¥3.5369
500:¥2.9154
3,000:¥2.9154
参考库存:119570
SSM3K16CT,L3F
Toshiba
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
1:¥2.5312
10:¥1.6385
100:¥0.68365
1,000:¥0.46895
10,000:¥0.30736
20,000:查看
参考库存:49152
APT80GP60J
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
1:¥295.2238
2:¥287.2234
5:¥279.2343
10:¥271.3243
参考库存:2969
MMBTA92LT3G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥1.5368
10:¥1.3334
100:¥0.47686
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:129881
MMBT5962
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥1.921
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.30736
参考库存:208418

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    50万现货SKU

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