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晶体管
DMP3026SFDE-7参考图片

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DMP3026SFDE-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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库存:21,707(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.8702
28.702
100
¥1.7402
174.02
1,000
¥1.356
1356
3,000
¥1.1526
3457.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8.7 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
19.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns
单位重量
6.750 mg
商品其它信息
优势价格,DMP3026SFDE-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V N-Channel QFET
1:¥16.8257
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥9.9892
参考库存:6375
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥23.8995
10:¥19.8202
100:¥15.368
500:¥13.447
1,000:¥11.1418
参考库存:6237
晶体管
达林顿晶体管 BIP PNP 8A 120V TR
1:¥4.9155
10:¥4.0793
100:¥2.6329
1,000:¥2.1018
2,500:¥1.7741
参考库存:16134
晶体管
MOSFET P-Ch Enh Mode FET 80mOhm -12V -3.3A
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
3,000:¥1.6159
参考库存:16381
晶体管
IGBT 晶体管 600 V 40 A 62.5 W
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
参考库存:3388
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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