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晶体管
BC857BTQ-7参考图片

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BC857BTQ-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor
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1
¥1.8419
1.8419
10
¥1.2543
12.543
100
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52.206
1,000
¥0.3616
361.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-523-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 45 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 250 mV
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
475
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 100 mA
Pd-功率耗散
350 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，BC857BTQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFR7546TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
1:¥6.8365
10:¥5.8986
100:¥4.5313
500:¥4.0002
1,000:¥3.1527
2,000:¥3.1527
参考库存:26916
2SA1593T-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 2A 100V
1:¥5.9212
10:¥4.9607
100:¥3.1979
1,000:¥2.5538
参考库存:12358
APT8020LLLG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥312.897
5:¥302.3654
10:¥292.5344
25:¥270.5559
参考库存:42102
NSL12AWT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 12V Switching PNP
1:¥3.2996
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.70738
参考库存:12145
BULD742CT4
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HI VLTG FAST SWITCH NPN PWR TRANSISTOR
1:¥6.9156
10:¥5.7743
100:¥3.7177
1,000:¥2.9832
2,500:¥2.5086
参考库存:22847

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