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BSP75GQTC

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数量单价合计
1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
1,000
¥4.6104
4610.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
385 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
36 V
Qg-栅极电荷
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 us
典型接通延迟时间
2.2 us
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，BSP75GQTC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSM100GD120DLC
Infineon Technologies
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IGBT 模块 1200V 100A 3-PHASE
10:¥1,810.2713
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参考库存:37631
JAN2N2221A/TR
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100:¥90.5921
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CGH60060D-GP4
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暂无价格
参考库存:37646
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Microsemi
晶体管
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100:¥126.4018
250:¥115.26
500:¥107.802
参考库存:37651

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    50万现货SKU

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