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晶体管
FDMA037N08LC参考图片

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FDMA037N08LC

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET FET 80V 3.7 MOHM MLP33
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数量单价合计
1
¥10.6785
10.6785
10
¥9.1417
91.417
100
¥6.9721
697.21
500
¥6.1585
3079.25
3,000
¥4.3166
12949.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WDFN-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
36.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
1.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
4.9 ns
商品其它信息
优势价格，FDMA037N08LC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS450R12KE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 450A IGBT4
1:¥4,267.4676
5:¥4,010.2796
参考库存:27185
SMP5485
InterFET
晶体管
JFET N-Ch JFET -25V 4.0Vgs 15Vds 10mA
820:¥8.2264
1,000:¥6.7913
2,500:¥6.0907
10,000:¥5.8647
参考库存:27190
2N6058
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥412.0206
5:¥389.737
10:¥385.2735
25:¥356.3116
参考库存:27195
JAN2N3902
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥445.5929
参考库存:27200
STGW35HF60WDI
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 35 A 600 V Ultra fast IGBT
1:¥33.4254
10:¥28.3517
100:¥24.5888
250:¥23.3571
参考库存:8301

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    50万现货SKU

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