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晶体管
IPB70N10S312ATMA1参考图片

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IPB70N10S312ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
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库存:7,340(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.7577
12.7577
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.6275
3813.75
1,000
¥6.3167
6316.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
9.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
66 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
XPB70N10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPB70N10S3-12 IPB7N1S312XT SP000261246
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB70N10S312ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET Low Rdson
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.2772
500:¥6.4297
1,000:¥5.0737
2,500:¥5.0737
参考库存:7896
晶体管
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥8.2264
10:¥7.0625
100:¥5.424
500:¥4.7912
1,000:¥3.7855
2,500:¥3.7855
参考库存:278438
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100kOhm NPN Dual Trans 200mW
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:32265
晶体管
IGBT 模块 1200 V 600 A IGBT
1:¥1,526.3475
参考库存:2862
晶体管
MOSFET Small-signal Nch MOSFET ID: 0.15A
1:¥1.5368
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.23052
参考库存:96404
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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