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晶体管
STB35N60DM2参考图片

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STB35N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in D2PAK package
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数量单价合计
1
¥35.3464
35.3464
10
¥30.0467
300.467
100
¥26.0465
2604.65
250
¥24.6679
6166.975
1,000
¥18.6676
18667.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
28 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
210 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB35N60DM2
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
21.2 ns
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STB35N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
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1:¥3.6838
10:¥2.5877
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:27986
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SW XTR PNP 60V
1:¥3.0736
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
2,000:¥0.83733
参考库存:27948
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:42750
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
2,500:¥1.5368
参考库存:13257
  • 海量现货

    50万现货SKU

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