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晶体管
IPA60R600C6参考图片

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IPA60R600C6

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C6
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库存:29,398(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥10.2943
102.943
100
¥7.91
791
500
¥6.9947
3497.35
1,000
¥5.5257
5525.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7.3 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
28 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 nS
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 nS
零件号别名
IPA60R600C6XKSA1 IPA6R6C6XK SP000660624
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPA60R600C6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V N-Channel QFET
1:¥16.8257
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥9.9892
参考库存:6375
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥23.8995
10:¥19.8202
100:¥15.368
500:¥13.447
1,000:¥11.1418
参考库存:6237
晶体管
达林顿晶体管 BIP PNP 8A 120V TR
1:¥4.9155
10:¥4.0793
100:¥2.6329
1,000:¥2.1018
2,500:¥1.7741
参考库存:16134
晶体管
MOSFET P-Ch Enh Mode FET 80mOhm -12V -3.3A
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
3,000:¥1.6159
参考库存:16381
晶体管
IGBT 晶体管 600 V 40 A 62.5 W
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
参考库存:3388
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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