NTPF082N65S3F详细信息_NTPF082N65S3F相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220F-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	650 V
Id-连续漏极电流	40 A
Rds On-漏源导通电阻	82 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	3 V
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
Qg-栅极电荷	70 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	48 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Tube
系列	SuperFET3
晶体管类型	1 N-Channel SuperFET III MOSFET
商标	ON Semiconductor
下降时间	3.7 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	27 ns
工厂包装数量	1000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	64 ns
典型接通延迟时间	30 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FF500R17KE4BOSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM	1:¥1,858.2963 5:¥1,813.5822 10:¥1,768.5517 25:¥1,743.7256	参考库存:4503
ZXT12N20DXTA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 20V NPN	1:¥11.6051 10:¥9.831 100:¥7.91 500:¥6.9269 1,000:¥5.7404	参考库存:6750
BSS138K-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET BSS Family SOT23 T&R 10K	1:¥2.2261 10:¥1.5481 100:¥0.64523 1,000:¥0.44522 10,000:¥0.29945 20,000:查看	参考库存:304382
BSO220N03MDGXUMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M	1:¥6.3054 10:¥5.2545 100:¥3.39 1,000:¥2.712 2,500:¥2.712	参考库存:16934
STWA48N60DM2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package	1:¥58.5566 10:¥52.9405 25:¥50.4884 100:¥43.7988	参考库存:7361