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晶体管
TK40A10N1,S4X参考图片

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TK40A10N1,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET NCh6.8ohm VGS10V10uAVDS100V
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库存:3,649(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.1363
14.1363
10
¥11.4469
114.469
100
¥9.1417
914.17
500
¥7.9891
3994.55
1,000
¥6.6105
6610.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
6.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK40A10N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK40A10N1,S4X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) I2C BUS 8Kbit EEPROM
2,500:¥2.6216
10,000:¥2.5199
25,000:¥2.4408
参考库存:47188
晶体管
MOSFET N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect
1:¥51.1777
10:¥46.2622
25:¥44.1039
100:¥38.2618
参考库存:3916
晶体管
MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
1:¥49.8669
10:¥47.799
25:¥43.7988
50:¥41.8778
参考库存:4033
晶体管
MOSFET
1:¥25.4363
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
3,000:¥12.8368
6,000:查看
参考库存:4665
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
1:¥38.0358
10:¥32.2728
100:¥27.9675
250:¥26.5889
参考库存:4402
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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