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晶体管
IPB037N06N3 G参考图片

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IPB037N06N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.831
98.31
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.893
3446.5
1,000
¥5.7178
5717.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
98 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
61 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
IPB037N06N3GATMA1 IPB37N6N3GXT SP000397986
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB037N06N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZXMN20B28KTC
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:36048
FDME410NZT
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 20V N-Channel PowerTrench
1:¥5.8421
10:¥4.8816
100:¥3.1527
1,000:¥2.5199
5,000:¥2.1244
参考库存:35314
STB38N65M5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
1:¥64.0032
10:¥57.856
25:¥55.1666
100:¥47.8668
1,000:¥36.273
2,000:查看
参考库存:9280
BSC123N10LS G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.571
1,000:¥6.2715
5,000:¥6.2715
参考库存:14582
KSC1008YTA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥2.7685
10:¥1.9775
100:¥0.90626
1,000:¥0.69947
2,000:¥0.5989
参考库存:81669

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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