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晶体管
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2DB1119S-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 2.5K BIPOLAR
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1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.8137
28.137
100
¥1.5255
152.55
1,000
¥1.1413
1141.3
2,500
¥0.9831
2457.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
集电极—基极电压 VCBO
25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DB11
直流电流增益 hFE 最大值
140
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
140
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VRF151G
Microsemi
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥910.8591
2:¥882.5865
5:¥882.3492
10:¥853.8506
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FZ1200R33HE3
Infineon Technologies
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IGBT 模块 IGBT Module 1200A 3300V
1:¥12,587.0022
5:¥12,385.7605
参考库存:1340
2N3250
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SS
1:¥15.142
10:¥13.5261
100:¥10.7576
500:¥9.4468
参考库存:10947
MJD253T4G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 100V 12.5W PNP
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:49409
IRFP450APBF
Vishay / Siliconix
晶体管
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1:¥27.6624
10:¥22.4418
100:¥20.5208
500:¥17.063
1,000:¥14.5205
参考库存:11186

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    50万现货SKU

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