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晶体管
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SCT20N120

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
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库存:5,682(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥101.5079
101.5079
10
¥93.3606
933.606
25
¥89.4395
2235.9875
100
¥78.8401
7884.01
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
HiP-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
239 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
175 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
HiP247â?¢
封装
Tube
系列
SCT20N120
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SCT20N120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL NPN 225mW SIGNAL DUAL NPN
1:¥3.0736
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
9,000:¥0.78422
参考库存:13346
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 80V Dual NPN
1:¥1.6159
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:289833
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 0.7A 30V
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.7458
3,000:¥0.56839
参考库存:49250
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥4.9155
10:¥3.9776
100:¥3.0171
500:¥2.486
3,000:¥2.486
参考库存:19252
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.1526
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:51979
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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