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晶体管
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STGWA40H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
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库存：5,545(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.2784
31.2784
10
¥26.5889
265.889
100
¥23.052
2305.2
250
¥21.8994
5474.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA40H65FB
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGWA40H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP3012LPS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 30Vgss 6807pF 139nC
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.825
参考库存:10757
IPD80R2K7C3AATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTOMOTIVE
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0851
2,500:¥4.9607
10,000:查看
参考库存:17179
2DA1774Q-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥2.8476
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:23681
STP40NF10
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp
1:¥16.5997
10:¥14.0572
100:¥11.30
500:¥9.831
参考库存:11958
CPH6102-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1A 50V
1:¥3.2318
10:¥2.4634
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:48635

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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