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晶体管
SIR180DP-T1-RE3参考图片

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SIR180DP-T1-RE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:31,550(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.9103
13.9103
10
¥11.526
115.26
100
¥8.9948
899.48
500
¥7.8422
3921.1
1,000
¥6.4749
6474.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
2.05 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
87 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
35 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
17 ns
商品其它信息
优势价格,SIR180DP-T1-RE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 230V 200W PNP
1:¥26.0465
10:¥22.1254
100:¥19.21
250:¥18.2156
参考库存:8753
晶体管
MOSFET Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9947
500:¥6.1811
2,500:¥4.3279
10,000:查看
参考库存:19885
晶体管
MOSFET 250V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥42.1038
10:¥35.8097
100:¥31.0411
250:¥29.4252
500:¥26.4307
800:¥26.4307
参考库存:5472
晶体管
MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7234
500:¥4.1697
参考库存:27334
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W
1:¥30.51
10:¥27.9675
25:¥25.4363
100:¥22.8938
1,000:¥17.1308
2,000:查看
参考库存:12566
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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