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晶体管
BSC057N08NS3GATMA1参考图片

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BSC057N08NS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥14.6787
14.6787
10
¥12.4526
124.526
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
1,000
¥7.2659
7265.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
5.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
114 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
40 S
开发套件
EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
BSC057N08NS3 BSC57N8NS3GXT G SP000447542
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BSC057N08NS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RGW00TS65GC11
ROHM Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥36.6572
10:¥31.1202
100:¥27.0522
250:¥25.6623
参考库存:5295
NVMFS5C677NLT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 60V S08FL SINGLE
1:¥5.4579
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
1,500:¥2.0001
参考库存:24817
NGTB40N120S3WG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF
1:¥47.1775
10:¥40.115
100:¥34.7362
250:¥32.9621
500:¥29.5834
参考库存:8399
STGIPQ8C60T-HZ
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥74.9981
10:¥67.7774
25:¥64.6247
100:¥56.0932
参考库存:3496
IPN80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥6.6105
10:¥5.6387
100:¥4.3392
500:¥3.8307
3,000:¥2.6781
9,000:查看
参考库存:89098

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    物料均可追溯

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