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晶体管
BSC057N08NS3GATMA1参考图片

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BSC057N08NS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥14.6787
14.6787
10
¥12.4526
124.526
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
1,000
¥7.2659
7265.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
5.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
114 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
40 S
开发套件
EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
BSC057N08NS3 BSC57N8NS3GXT G SP000447542
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BSC057N08NS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB22N03S4L-15
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 22A D2PAK-2 OptiMOS-T2
1:¥13.447
10:¥11.4469
100:¥9.1417
500:¥7.9891
1,000:¥6.6557
参考库存:8576
FDP083N15A-F102
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
1:¥27.7415
10:¥23.5153
100:¥20.4417
250:¥19.3682
500:¥17.3681
参考库存:33842
BSC020N03MSGATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2885
500:¥6.441
1,000:¥5.085
5,000:¥5.085
参考库存:45833
CSD17570Q5BT
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Pwr MOSFET
1:¥18.9049
10:¥16.0573
100:¥12.8368
250:¥12.8368
500:¥11.2209
参考库存:13435
ZXTN25040DFHTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V HIGH GAIN
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:20262

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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