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晶体管
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IPP60R125CFD7XKSA1

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数量单价合计
1
¥30.4309
30.4309
10
¥25.8996
258.996
100
¥22.4418
2244.18
250
¥21.2892
5322.3
500
¥19.0518
9525.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
92 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
CoolMOS CFD7
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
31 ns
零件号别名
IPP60R125CFD7 SP001686028
商品其它信息
优势价格，IPP60R125CFD7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTC113ZU3HZGT106
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 1kO SOT-323
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:33005
BUK6Y32-60PX
Nexperia
晶体管
MOSFET BUK6Y32-60P/SOT669/LFPAK
1:¥8.3733
10:¥7.0964
100:¥5.4579
500:¥4.8251
参考库存:10512
RS1E130GNTB
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥3.9211
10:¥3.2996
100:¥2.0114
1,000:¥1.5594
2,500:¥1.3334
参考库存:14314
DMN10H220LQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R 3K
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:32941
RGPR30BM40HRTL
ROHM Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.232
1,000:¥5.7065
2,500:¥5.0624
参考库存:27503

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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