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晶体管
ALD210808SCL参考图片

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ALD210808SCL

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库存:5,394(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.804
34.804
10
¥31.1202
311.202
25
¥27.9675
699.1875
50
¥27.2782
1363.91
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-16
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Id-连续漏极电流
70 mA
Rds On-漏源导通电阻
25 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
780 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Quad
通道模式
Enhancement
商标名
EPAD
封装
Tube
系列
ALD210808S
晶体管类型
4 N-Channel
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
666 mg
商品其它信息
优势价格,ALD210808SCL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.9158
500:¥9.5259
1,000:¥7.91
参考库存:10171
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITL PNP 50V 30MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:53938
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V NPN Med PWR 1A Ic 2A 150mA
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
参考库存:9695
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥26.4307
10:¥22.5096
100:¥19.5151
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:5702
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥14.7578
10:¥12.5204
100:¥10.0683
500:¥8.8366
800:¥7.2659
参考库存:4459
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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