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晶体管
IRGSL4062DPBF参考图片

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IRGSL4062DPBF

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库存:5,363(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.5671
42.5671
10
¥36.1939
361.939
100
¥31.3462
3134.62
250
¥29.7416
7435.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-262-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
48 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
9.65 mm
长度
11.3 mm
宽度
4.83 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
50
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001535892
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格,IRGSL4062DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 650A
1:¥4,524.2601
5:¥4,251.6363
参考库存:33766
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 100V 65W PNP
1:¥4.6104
10:¥3.7968
100:¥2.4521
1,000:¥1.9549
参考库存:102757
晶体管
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 250Watts 50Volt Gain 12dB
1:¥898.9489
2:¥874.055
5:¥854.0766
10:¥829.1036
参考库存:4819
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 30V Switching PNP
1:¥3.2318
10:¥2.26
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.68365
参考库存:213756
晶体管
JFET 30V 10mA
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:532503
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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