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晶体管
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IKD04N60RA

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数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.2772
727.72
500
¥6.4297
3214.85
2,500
¥4.4974
11243.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
75 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD04N60RAATMA1 SP000943854
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，IKD04N60RA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N4300
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
500:¥38.7251
1,000:¥36.5781
2,000:¥35.1882
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DMN1008UFDF-13
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5,000:¥2.4521
10,000:¥2.3617
25,000:¥2.2713
参考库存:35170

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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