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晶体管
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STW21NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II
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数量单价合计
1
¥46.104
46.104
10
¥41.6518
416.518
25
¥39.7308
993.27
100
¥34.4989
3449.89
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
220 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
系列
STW21NM60ND
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
48 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW21NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFP4227PBF
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MUN2115T1G
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1:¥1.695
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参考库存:108525
TP2104N3-G-P003
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晶体管
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1:¥5.1528
10:¥5.1415
25:¥4.3505
100:¥3.955
2,000:¥2.7007
4,000:查看
参考库存:10277
STB19NF20
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MOSFET 200V 0.15Ohm 15A N-Channel
1:¥14.2154
10:¥12.0684
100:¥9.6841
500:¥8.4524
1,000:¥7.0286
参考库存:8639
FF225R12ME4
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1:¥896.3386
5:¥878.7445
10:¥837.782
25:¥820.1879
参考库存:3566

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