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晶体管
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IRG4BC20SPBF

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库存:6,838(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.1365
18.1365
10
¥15.368
153.68
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.7576
5378.8
1,000
¥8.9157
8915.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
19 A
Pd-功率耗散
60 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
19 A
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001532494
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRG4BC20SPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 11 Amp
1:¥8.1473
10:¥6.9382
100:¥5.3223
500:¥4.7121
1,000:¥3.7177
2,500:¥3.2996
参考库存:13381
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 160V
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:57918
晶体管
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
参考库存:2205
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Gain & Crnt
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:70967
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 24A 95mOhm 30nC
1:¥10.1474
10:¥8.6106
100:¥6.6444
500:¥5.876
2,000:¥4.1132
10,000:查看
参考库存:10994
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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