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晶体管
CSD19536KTT参考图片

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CSD19536KTT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100V N ch MOSFET
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库存:1,375(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.4198
34.4198
10
¥30.962
309.62
100
¥25.3572
2535.72
250
¥23.7413
5935.325
500
¥21.5943
10797.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
272 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
118 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.7 mm
长度
9.25 mm
系列
CSD19536KTT
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.26 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
329 S
下降时间
6 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,CSD19536KTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50V Dual Common Base Collector NPN & PNP
1:¥3.3787
10:¥2.3504
100:¥1.08367
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.70738
参考库存:44223
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:32075
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:34227
晶体管
MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
1:¥31.5044
10:¥26.7358
100:¥23.2102
250:¥21.9785
参考库存:5509
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 100A I2PAK-3
1:¥13.9894
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
参考库存:6556
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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