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晶体管
BSS209PW H6327参考图片

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BSS209PW H6327

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库存:155,218(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥1.8419
18.419
100
¥0.7684
76.84
1,000
¥0.52206
522.06
3,000
¥0.4068
1220.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
630 mA
Rds On-漏源导通电阻
550 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
- 1.0 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
系列
BSS209
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
870 mS
下降时间
4.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
2.6 ns
零件号别名
BSS209PWH6327XTSA1 BSS29PWH6327XT SP000750498
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,BSS209PW H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
1:¥120.9439
5:¥114.7176
10:¥110.4914
25:¥106.1974
参考库存:2108
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:32110
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 25V 193A 1.4MO
1:¥28.5099
10:¥24.2046
100:¥21.0519
250:¥19.9784
5,000:¥13.8312
参考库存:32115
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
参考库存:14120
晶体管
MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIE
1:¥4.0002
10:¥2.9945
100:¥1.6272
1,000:¥1.2204
参考库存:32122
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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