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晶体管
IPB055N03L G参考图片

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IPB055N03L G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
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库存:10,367(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.5316
10.5316
10
¥8.9948
89.948
100
¥6.9269
692.69
500
¥6.1246
3062.3
1,000
¥4.8364
4836.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
6.7 ns
零件号别名
IPB055N03LGATMA1 IPB55N3LGXT SP000304110
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB055N03L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 600V 75A Dual
1:¥496.8497
5:¥487.708
10:¥467.5714
25:¥452.9718
参考库存:4108
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 50V 12.5W NPN
1:¥4.3053
10:¥3.5143
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
2,500:¥1.4125
参考库存:71290
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000mW -300Vceo
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:116547
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
1:¥3.7629
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:108169
晶体管
MOSFET N-Ch, 600V-0.45ohms 13.5A
1:¥28.2048
10:¥23.9786
100:¥20.8259
250:¥19.7524
参考库存:8411
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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