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晶体管
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IRG4BC30SPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT
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数量单价合计
1
¥21.8994
21.8994
10
¥18.5998
185.998
100
¥14.8256
1482.56
500
¥12.9837
6491.85
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
34 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
34 A
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001535662
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRG4BC30SPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ULN2003AINE4
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1,175:¥2.6781
2,000:¥2.4182
5,000:¥2.2487
10,000:¥2.1696
参考库存:45785
IRGS6B60KDTRLP
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V 5A
800:¥10.4525
2,400:¥9.6841
4,800:¥9.379
9,600:¥8.9948
参考库存:45790
JANTX2N5339
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥142.3122
10:¥129.3172
25:¥119.6444
50:¥113.1808
参考库存:2868
BSM50GB120DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 50A DUAL
1:¥556.864
5:¥546.5584
10:¥532.5012
25:¥521.9696
参考库存:2580
CGH60030D-GP4
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
10:¥561.6213
参考库存:2667

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    50万现货SKU

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