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晶体管
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ZXMN10B08E6TA

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库存：44,672(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.4579
5.4579
10
¥4.5539
45.539
100
¥2.938
293.8
1,000
¥2.3504
2350.4
3,000
¥2.3504
7051.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1.9 A
Rds On-漏源导通电阻
230 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.3 mm
长度
3.1 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXMN10
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.8 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
2.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.1 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns
单位重量
15 mg
商品其它信息
优势价格，ZXMN10B08E6TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:35942

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    50万现货SKU

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