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晶体管
IRGS4B60KD1TRRP参考图片

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IRGS4B60KD1TRRP

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT
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库存:11,761(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.5207
18.5207
10
¥15.7522
157.522
100
¥12.5995
1259.95
500
¥11.0627
5531.35
800
¥9.1417
7313.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
11 A
Pd-功率耗散
63 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.57 mm
长度
10.31 mm
宽度
9.45 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001534000
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,IRGS4B60KD1TRRP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) I2C BUS 8Kbit EEPROM
2,500:¥2.6216
10,000:¥2.5199
25,000:¥2.4408
参考库存:47188
晶体管
MOSFET N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect
1:¥51.1777
10:¥46.2622
25:¥44.1039
100:¥38.2618
参考库存:3916
晶体管
MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
1:¥49.8669
10:¥47.799
25:¥43.7988
50:¥41.8778
参考库存:4033
晶体管
MOSFET
1:¥25.4363
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
3,000:¥12.8368
6,000:查看
参考库存:4665
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
1:¥38.0358
10:¥32.2728
100:¥27.9675
250:¥26.5889
参考库存:4402
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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