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晶体管
IPA60R099C6XKSA1参考图片

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IPA60R099C6XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 38A TO220FP-3 CoolMOS C6
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库存:4,801(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥45.0305
45.0305
10
¥38.2618
382.618
100
¥33.1994
3319.94
250
¥31.4253
7856.325
500
¥28.2048
14102.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
37.9 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
119 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPA60R099C6 IPA6R99C6XK SP000658000
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPA60R099C6XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.8422
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
参考库存:12843
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFM906N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
1:¥18.2834
10:¥16.7466
25:¥15.2098
100:¥13.7521
参考库存:13075
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,155.2103
5:¥1,127.401
10:¥1,099.4222
25:¥1,084.0542
参考库存:3607
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥3.9211
10:¥3.2996
100:¥2.0114
1,000:¥1.5481
2,500:¥1.3334
参考库存:13499
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC846S/SC-88/REEL 13" Q1/T1 *S
1:¥2.3843
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
10,000:¥0.30736
20,000:查看
参考库存:52201
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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