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晶体管
IPN60R600P7SATMA1参考图片

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IPN60R600P7SATMA1

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数量单价合计
1
¥5.537
5.537
10
¥4.6217
46.217
100
¥2.9945
299.45
1,000
¥2.3843
2384.3
3,000
¥2.0227
6068.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
490 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
IPN60R600P7S SP001681930
商品其它信息
优势价格,IPN60R600P7SATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 650A
1:¥4,524.2601
5:¥4,251.6363
参考库存:33766
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 100V 65W PNP
1:¥4.6104
10:¥3.7968
100:¥2.4521
1,000:¥1.9549
参考库存:102757
晶体管
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 250Watts 50Volt Gain 12dB
1:¥898.9489
2:¥874.055
5:¥854.0766
10:¥829.1036
参考库存:4819
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 30V Switching PNP
1:¥3.2318
10:¥2.26
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.68365
参考库存:213756
晶体管
JFET 30V 10mA
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:532503
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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