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晶体管
IPW65R099C6FKSA1参考图片

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IPW65R099C6FKSA1

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库存:3,175(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥51.641
51.641
10
¥46.6464
466.464
25
¥44.4881
1112.2025
100
¥38.646
3864.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
89 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
127 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
77 ns
典型接通延迟时间
10.6 ns
零件号别名
IPW65R099C6 IPW65R99C6XK SP000896396
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IPW65R099C6FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
1:¥6.8365
10:¥5.8986
100:¥4.5313
500:¥4.0002
1,000:¥3.1527
2,000:¥3.1527
参考库存:26916
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 2A 100V
1:¥5.9212
10:¥4.9607
100:¥3.1979
1,000:¥2.5538
参考库存:12358
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥312.897
5:¥302.3654
10:¥292.5344
25:¥270.5559
参考库存:42102
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 12V Switching PNP
1:¥3.2996
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.70738
参考库存:12145
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HI VLTG FAST SWITCH NPN PWR TRANSISTOR
1:¥6.9156
10:¥5.7743
100:¥3.7177
1,000:¥2.9832
2,500:¥2.5086
参考库存:22847
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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