Wolfspeed / Cree生产的无线和射频半导体相关信息_Wolfspeed / Cree详情第11页-维基芯城

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无线和射频半导体：224 条相关产品

型号	描述	参考价格	库存数量
CMPA0060002F	射频放大器 GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 2 Watt PDF数据手册	1:¥1,340.632	参考库存:4327
CGH40025F	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt PDF数据手册	1:¥862.0657	参考库存:5284
PTFC270101M-V1-R1K	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PDF数据手册	1:¥74.7608 1,000:¥74.7608	参考库存:8339
CGH55030F1	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt PDF数据手册	1:¥945.2111	参考库存:3959
CGH27030S	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt PDF数据手册	1:¥404.1784 250:¥404.1784	参考库存:6861
PTFB092707FH-V1-R0	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PDF数据手册	1:¥848.0085 50:¥848.0085	参考库存:3390
CG2H40025F	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt PDF数据手册	1:¥862.0657	参考库存:4190
CGH40045F	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt PDF数据手册	1:¥1,281.8494	参考库存:3404
CGH27030P	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt PDF数据手册	1:¥699.6282	参考库存:2844
CGHV14800F	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt PDF数据手册	1:¥5,780.2099	参考库存:2948
CGH55030F2	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt PDF数据手册	1:¥879.3547	参考库存:2881
CMPA1D1E025F	射频放大器 GaN MMIC Power Amp 13.75-14.5GHz 25Watt PDF数据手册	1:¥3,545.4767	参考库存:2589
CGH40010F	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt PDF数据手册	1:¥429.3774	参考库存:4951
CMPA601C025F	射频放大器 GaN MMIC Power Amp 6.0-12.0GHz, 25 Watt PDF数据手册	1:¥6,888.2427	参考库存:2344
CGH55015F1	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 Watt PDF数据手册	1:¥522.6702 10:¥494.4654 25:¥480.4082 50:¥473.3344	参考库存:2260
CGH27030F	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt PDF数据手册	1:¥699.6282	参考库存:2142
CGHV1F006S	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt PDF数据手册	1:¥343.859 250:¥343.859	参考库存:4626
CGH09120F	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt PDF数据手册	1:¥1,695.4746	参考库存:1752
CGH40035F	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt PDF数据手册	1:¥1,206.8513	参考库存:2113
CG2H40010F	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt PDF数据手册	1:¥429.3774	参考库存:3402