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光学探测器和传感器

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Osram Opto Semiconductor
产品种类	光电晶体管
RoHS	是
产品	Phototransistors
封装 / 箱体	Miniature Array
安装风格	Through Hole
峰值波长	850 nm
工作电源电压	-
开启状态集电极最大电流	50 mA
集电极—发射极最大电压 VCEO	35 V
集电极—射极击穿电压	35 V
集电极—射极饱和电压	150 mW
暗电流	1 nA
上升时间	6 us, 8 us
下降时间	6 us, 8 us
Pd-功率耗散	90 mW
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 80 C
高度	3.4 mm
长度	2.4 mm
透镜颜色/类型	Transparent
输出电流	-
类型	Silicon NPN Phototransistor Arrays
波长	850 nm
宽度	1.8 mm
商标	OSRAM Opto Semiconductors
传播延迟—最大值	-
半强度角度	18 deg
弱电流	320 uA
产品类型	Phototransistors
工厂包装数量	1000
子类别	Optical Detectors and Sensors
零件号别名	Q62702P3584

商品其它信息

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