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集成电路 - IC
TC58NYG2S0HBAI6参考图片

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TC58NYG2S0HBAI6

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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1671.27
100
¥30.0467
3004.67
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VFBGA-67
存储容量
4 Gbit
接口类型
Parallel
组织
512 M x 8
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
1.7 V
电源电压-最大
1.95 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
商标
Toshiba Memory
最大时钟频率
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
338
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格，TC58NYG2S0HBAI6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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