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集成电路 - IC
TC58NVG0S3ETA00参考图片

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TC58NVG0S3ETA00

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 3.3V 1Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-48
存储容量
1 Gbit
接口类型
Parallel
组织
128 M x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
2.7 V
电源电压-最大
3.6 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
封装
Tray
存储类型
NAND
产品
NAND Flash
速度
25 ns
结构
Block Erase
商标
Toshiba Memory
最大时钟频率
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
96
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格，TC58NVG0S3ETA00的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S-1335E23-A4T2U3
ABLIC
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低压差稳压器 VOLTAGE REGULATOR
10,000:¥2.26
20,000:¥2.1696
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NJG1704V-TE1
NJR
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S-1711C2828I6T1U
ABLIC
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250:¥20.7468
500:¥18.8258
1,000:¥15.8313
2,500:¥15.0629
5,000:¥14.5205
参考库存:26180

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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